IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）は、電力変換に使われる半導体素子です。PCSのインバータ回路の中核を担い、直流交流変換のスイッチング動作を行います。

近年は SiC（シリコンカーバイド）半導体への移行が進んでおり、SiCはIGBTに比べて高効率・高温動作が可能です。次世代PCSでSiC採用が増えており、変換効率の向上に寄与しています。

IGBT・SiCモジュールはPCSの主要故障モードの一つで、長期運用では予防交換・冗長設計が重要です。