SiC（Silicon Carbide：シリコンカーバイド）は、次世代パワー半導体の代表格です。従来のシリコン（Si）に比べて、高耐圧・高温動作・高速スイッチング・低損失の特性を持ちます。

蓄電池PCS、EV充電器、太陽光パワコンなどで採用が進み、変換効率の向上と機器の小型化に寄与しています。コストは従来Si素子より高いものの、長期的な低損失メリットが上回る用途で採用が広がっています。